| 住所 | 〒105-8623 東京都港区芝3-8-2 |
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| TEL | 03-5427-5171 |
| FAX | |
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| 最終更新日：2023年05月31日 |
東ソー（株）
東ソー（株） 取り扱い製品
GaNスパッタリングターゲット
高配向性膜をスパッタ法で形成可能な高純度・高密度GaNターゲットを開発しました。
従来のスパッタリング装置へ装着が可能です。ターゲットサイズは最大Φ12inchiの作製実績があります。
膜特性
・スパッタ法（RF、DC、PDC対応）にて、従来のCVD法のような格子縞が観察できるエピタキシャル成長が可能です。
・GaNターゲット中の不純物を低減したことにより、スパッタ法にて透明かつ、極めてシャープなXRC半値幅（FWHM=0.003º）を持つ配向膜の成膜が可能です。
新規透明導電膜用ターゲット USR
酸化インジウムをベースとした新規の透明導電膜用スパッタリングターゲットです。ITOでは、達成困難な100℃で結晶化し低抵抗を示します。
新規透明導電膜用ターゲット SRE
酸化インジウムをベースとした赤外線高透過率と低抵抗率を両立可能な新規の透明導電膜用スパッタリングターゲットです。