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(株)QDレーザ レーザデバイス事業部

住所 〒210-0855
神奈川県川崎市川崎区南渡田町1-1京浜ビル1F
TEL 0443333338
FAX
URL https://www.qdl-laser.com/
E-mail info@qdlaser.com
設立年 2006年
代表取締役社長 大久保 潔
  最終更新日:2025年12月24日

企業PR

QDレーザは、通信・産業用の高機能半導体レーザおよびウエハ製品、レーザー網膜投影機器を製造・販売しております。

(株)QDレーザ レーザデバイス事業部 取り扱い製品

Lantana:ドライバ内蔵のオールインワン小型可視レーザ

Lantana:ドライバ内蔵のオールインワン小型可視レーザ

Lantana:オールインワン小型可視レーザ@532, 561, 594 nm
小型可視レーザとCW/変調用ドライバを内蔵
サイズ53cc(38×60×t22.7 mm)と超小型
GUIによるプラグアンドプレイ
バイオメディカル検査装置、ラマン分光、干渉計、ホログラフィー、量子計測など多岐にわたる用途
ピグテール出力も可能
※新波長488, 552, 588 nmは2026年サンプル受注開始予定

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532, 561, 594nm 小型可視レーザ

532, 561, 594nm 小型可視レーザ

波長変換技術を使用した小型可視レーザモジュール
アプリケーション:フローサイトメータ等のバイオメディカル用光源
・532, 561, 594nm
・5, 20, 30, 50mW
・ゲインスイッチ短パルス動作50ps/50mW
・低消費電力
・スペクトルシングルモード
・変調動作可能
・ファイバ付きオプション
・50psゲインスイッチ用ドライバ
・波長488, 552, 588nm開発中

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1018-1122nm, 1140-1188 nm DFBレーザ

1018-1122nm, 1140-1188 nm DFBレーザ

1018-1122nm, 1140-1188 nm DFBレーザ
アプリケーション:加工用、半導体検査用、高性能LiDAR用のファイバレーザの種光源
・安定した単一モード性
・広範囲な波長対応(1030/1053/1064/1080/1120/1180 nm等)
・ゲインスイッチ短パルス動作 50/15 ps
・高出力パルス動作 400 mW / 1 ns
・14ピンバタフライ
・7ピンSMPMバタフライ
・各種ドライバーボード(50ps, 15ps, 5ns-2A, DFB-SOA)
・Prism Award 2017 受賞

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640, 660, 685, 785, 830, 850, 905nm 高出力FPレーザ

640, 660, 685, 785, 830, 850, 905nm 高出力FPレーザ

640~905nm 高出力ファブリペローレーザ
用途:マシンビジョン、水準器、パーティクルカウンタ、センサ
・640 nm, 30/80 mW
・660 nm, 50/100/120 mW
・685 nm, 100 mW
・785 nm, 100 mW
・830 nm, 210 mW
・850 nm, 200 mW
・905 nm, 100 mW
・CWパルス動作, TO56, モニタPD内蔵

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1300 nm 量子ドットレーザ

1300 nm 量子ドットレーザ

1300 nm 量子ドットレーザ
アプリケーション:データ通信 シリコンフォトニクス用光源
・FP/DFBレーザ
・波長1300nm
・200 ℃まで高温動作
・高温での安定した特性
・反射戻り光耐性
・TO-56/チップ
・Siフォトニクス用FP/DFBレーザチップ

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GaAs基板上高品質上エピタキシャル ウェハ

GaAs基板上高品質上エピタキシャル ウェハ

GaAs基板上高品質上エピタキシャル ウェハ
アプリケーション:半導体レーザ 受光デバイス 電子デバイス
・量子ドット/量子井戸ウェハ 860-1300 nm
・Siフォトニクス用量子ドットウェハ(FP, DFB)
・RTD, HEMT
・DBRミラー
・カスタム対応
・GaAs基板上へMBE装置による結晶成長
 成長可能層:GaAs, AlGaAs, InGaAs, InAs(or InGaAs)QD

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